一种新型的双bit线SONOS单元结构及其制作方法

摘要

本发明提供了一种新型的双bit线SONOS单元结构及其制作方法，实现一个SONOS存储单元可以保存双bit线的数据，这样在不改变器件尺寸的前提下，就可以使存储容量提高一倍。而且这种结构引用STI（浅沟道隔离）的理念，将同一单元的2个bit线进行物理隔绝，从而阻止了bit线间电荷横向扩散，进一步实现了准确确定每个bit线的开关状态，对存储单元的每个bit数据的耐久性及电荷保持性都得到改善。

主权项

一种新型的双bit线SONOS单元结构的制作方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，在硅基底上方依次沉积氧化硅层、储存层、阻挡层和栅极多晶硅层，制备出SONOS栅极基体；步骤2，在所述SONOS栅极基体上进行光刻胶涂布和显影，露出栅极基体中间部分，刻蚀栅极基体露出的部分至硅基底，形成贯穿栅极基体两端的沟槽，去除剩余的光刻胶；步骤3，在所述沟槽内表面、以及剩余栅极基体上表面沉积氧化硅阻挡层；步骤4，沉积多晶硅，对沟槽进行填充；步骤5，去除步骤4中沉积的多晶硅和步骤3中沉积氧化硅阻挡层至与剩余栅极基体上表面，使步骤4中沉积的多晶硅和步骤3中沉积氧化硅阻挡层上表面与剩余栅极基体上表面处于同一平面内；步骤6，在剩余栅极基体上表面进行光刻胶涂布、显影和刻蚀形成SONOS多晶硅栅极。