生产III族氮化物半导体发光器件的方法

摘要

一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，所述III族氮化物半导体发光器件呈现进一步改善的光提取效率，并且抑制凹陷生成。再该生产方法中，n型层、发光层和p型层(每个层均由III族氮化物半导体制成)经由缓冲层顺序沉积在具有c面主表面的织构化蓝宝石衬底上。掩埋层由III族氮化物半导体于较之当n型层沉积在掩埋层上时1000℃至1200℃的温度更低20℃至80℃的温度下形成在缓冲层上，以通过掩埋织构而使掩埋层的顶表面平坦。提供在蓝宝石衬底上的织构可以具有1μm至2μm的深度，并且侧表面倾斜40°至80°。防护层可以由GaN于600℃至1050℃下形成，以覆盖缓冲层的整个顶表面。这抑制缓冲层的传质。由此，可以抑制晶体中的凹陷生成。缓冲层可以由含有Al的III族氮化物半导体形成。

主权项

一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，所述III族氮化物半导体发光器件包括顺序沉积在缓冲层上的由III族氮化物半导体制成的n型层、发光层以及p型层，所述缓冲层沉积在具有c面主表面的蓝宝石衬底上，所述主表面具有织构结构，所述方法包括：在所述蓝宝石衬底的主表面上形成所述织构，以具有1μm至2μm的深度；在比形成所述n型层时的温度低20℃至80℃的温度下，在所述缓冲层上形成III族氮化物半导体的掩埋层，以通过掩埋所述织构而使顶表面平坦化；以及在1000℃至1200℃的温度下在所述掩埋层上形成所述n型层。