一种提高浮体动态随机存储器单元性能的栅氧预清洗方法

摘要

本发明公开了一种提高浮体动态随机存储器单元性能的栅氧预清洗方法，本发明通过在硅衬底上形成有一层氧化物埋层，在埋层上形成有有源区的源区、漏区，以及浅沟道隔离结构，其中，采用一种清洗工艺对栅氧化物下方位置的硅表面进行处理，清洗工艺存在于对硅表面的氧化物预清洗工艺之前，所述清洗工艺采用一种含有NH4OH+H2O2+H2O的混合清洗液对硅表面进行处理，处理后增加了硅表面的粗糙度，从而使得栅氧生长后，二氧化硅与硅衬底界面处的硅悬挂键等缺陷增加，使得由碰撞产生的电子空穴对中的电子，更容易通过栅氧进入栅极，从而使得更多的空穴被扫到衬底，提高了浮体效应存储单元的衬底电流，提高了浮体效应存储单元的写入性能。

主权项

一种提高浮体动态随机存储器单元性能的栅氧预清洗方法，在硅衬底中形成有有源区，其特征在于：在该硅衬底上沉积栅氧化物层之前，利用清洗液对该硅衬底的表面进行清洗处理，以增加后续栅氧化物层形成后硅衬底表面的硅与栅氧化物层两者的界面处的缺陷。