发明名称 |
一种氢氧化镍膜电极及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种氢氧化镍膜电极及其制备方法,可用于二次电池和电化学超级电容器等方面,属于电化学能源技术领域。本发明氢氧化镍膜电极包括金属基体,在所述金属基体上沉积有多孔状镍层,在镍层的孔内沉积有氢氧化镍。与现有技术相比,本发明的优点是:氢氧化镍膜电极完全采用电化学方法制备,操作简单、条件温和、易于控制;通过此方法得到的氢氧化镍膜电极,在较高的放电电流条件下,可以获得较高的比容量和较好的循环性能。 |
申请公布号 |
CN101710616B |
申请公布日期 |
2012.05.02 |
申请号 |
CN200910154560.1 |
申请日期 |
2009.11.12 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
王建明;孔德帅;王慧娟;樊玉欠;邵海波;张鉴清;曹楚南 |
分类号 |
H01M4/32(2006.01)I;H01M4/29(2006.01)I |
主分类号 |
H01M4/32(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
林怀禹 |
主权项 |
一种氢氧化镍膜电极的制备方法,其特征是包括以下步骤:(1)在含Ni2+和Cu2+的电解液中往金属基体上电沉积一层镍铜合金镀层,其中,Ni2+的浓度为0.01~4 mol/L,Cu2+的浓度为0.001~1 mol/L;(2)通过电化学阳极溶解法除去镍铜合金镀层中的铜,得到多孔状镍层;(3)在含Ni2+的电解液中,在0.01~20 mA/cm2的电流密度下,利用电化学阴极还原法在所述镍层的孔内沉积氢氧化镍,得到氢氧化镍膜电极。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |