发明名称 一种氢氧化镍膜电极及其制备方法
摘要 本发明公开了一种氢氧化镍膜电极及其制备方法,可用于二次电池和电化学超级电容器等方面,属于电化学能源技术领域。本发明氢氧化镍膜电极包括金属基体,在所述金属基体上沉积有多孔状镍层,在镍层的孔内沉积有氢氧化镍。与现有技术相比,本发明的优点是:氢氧化镍膜电极完全采用电化学方法制备,操作简单、条件温和、易于控制;通过此方法得到的氢氧化镍膜电极,在较高的放电电流条件下,可以获得较高的比容量和较好的循环性能。
申请公布号 CN101710616B 申请公布日期 2012.05.02
申请号 CN200910154560.1 申请日期 2009.11.12
申请人 浙江大学 发明人 王建明;孔德帅;王慧娟;樊玉欠;邵海波;张鉴清;曹楚南
分类号 H01M4/32(2006.01)I;H01M4/29(2006.01)I 主分类号 H01M4/32(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 林怀禹
主权项 一种氢氧化镍膜电极的制备方法,其特征是包括以下步骤:(1)在含Ni2+和Cu2+的电解液中往金属基体上电沉积一层镍铜合金镀层,其中,Ni2+的浓度为0.01~4 mol/L,Cu2+的浓度为0.001~1 mol/L;(2)通过电化学阳极溶解法除去镍铜合金镀层中的铜,得到多孔状镍层;(3)在含Ni2+的电解液中,在0.01~20 mA/cm2的电流密度下,利用电化学阴极还原法在所述镍层的孔内沉积氢氧化镍,得到氢氧化镍膜电极。
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