发明名称 |
Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer Silziumschicht |
摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer hochdotierten Siliziumschicht in einer Ätzlösung. Um eine homogene Ätzung durchführen zu können, wird vorgeschlagen, dass als Ätzlösung eine alkalische Ätzlösung mit zumindest einem Oxidationsmittel aus der Gruppe Peroxodisulfate, Peroxomonosulfate, Hypochlorit verwendet wird.</p> |
申请公布号 |
DE102011050055(A1) |
申请公布日期 |
2012.04.26 |
申请号 |
DE20111050055 |
申请日期 |
2011.05.03 |
申请人 |
SCHOTT SOLAR AG |
发明人 |
LACHOWICZ, AGATA;SCHUM, BERTHOLD;VAAS, KNUT, DR. |
分类号 |
H01L21/306;C23F1/40;H01L21/22;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L21/306 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|