发明名称 Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer Silziumschicht
摘要 <p>Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer hochdotierten Siliziumschicht in einer Ätzlösung. Um eine homogene Ätzung durchführen zu können, wird vorgeschlagen, dass als Ätzlösung eine alkalische Ätzlösung mit zumindest einem Oxidationsmittel aus der Gruppe Peroxodisulfate, Peroxomonosulfate, Hypochlorit verwendet wird.</p>
申请公布号 DE102011050055(A1) 申请公布日期 2012.04.26
申请号 DE20111050055 申请日期 2011.05.03
申请人 SCHOTT SOLAR AG 发明人 LACHOWICZ, AGATA;SCHUM, BERTHOLD;VAAS, KNUT, DR.
分类号 H01L21/306;C23F1/40;H01L21/22;H01L31/18 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
主权项
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