发明名称 用于原子层沉积的涡流室盖
摘要 本发明的实施方式是关于在原子层沉积工艺期间沉积材料至衬底上的设备和方法。在一实施方式中,系提供用于处理衬底的处理室,其包括含有置中设置的气体分配道的室盖组件,其中气体分配道的汇流部往气体分配道的中心轴逐渐变细,气体分配道的分流部则背离中心轴逐渐变细。室盖组件还包含从气体分配道的分流部延伸至室盖组件的周围部分的锥形底面,其中锥形底面经构形及调整大小以基本上覆盖住衬底。且二导管耦接至气体分配道的汇流部的气体入口并设置以提供遍及气体分配道的环形气流。
申请公布号 CN101528973B 申请公布日期 2012.04.25
申请号 CN200780039651.X 申请日期 2007.10.24
申请人 应用材料公司 发明人 吴典晔;庞尼特·巴贾;袁晓雄;史蒂文·H·金;舒伯特·S·楚;保罗·F·马;约瑟夫·F·奥布赫恩
分类号 C23C16/00(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I 主分类号 C23C16/00(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国;陈红
主权项 一种用于处理衬底的腔室,所述腔室包括:衬底支撑件,所述衬底支撑件包含衬底承接面;以及室盖组件,所述室盖组件包括:气体分配道,位于该室盖组件的中间部分,其中该气体分配道包括:汇流道,该汇流道具有自该气体分配道的上部沿该气体分配道的中心轴向一节流圈缩减的内径;和分流道,该分流道具有自该节流圈沿该中心轴,并向该气体分配道的下部增加的内径;锥形底面,从该分流道延伸至该室盖组件的周围部分,其中该锥形底面经构形及调整大小以覆盖住该衬底承接面;第一导管,耦接至该汇流道中的第一气体入口;以及第二导管,耦接至该汇流道中的第二气体入口,其中该第一导管和该第二导管设置为提供遍及该气体分配道的环形气流图案。
地址 美国加利福尼亚