发明名称 一种具有三谐振吸收峰的太赫兹波段超颖材料
摘要 一种具有三谐振吸收峰的太赫兹波段超颖材料,属于电磁功能材料技术领域。包括衬底基片和衬底基片表面周期性排列的金属谐振单元;金属谐振单元包括中间由两个相同的单开口金属环相向连接而成的电开口环共振器,还包括两个与电开口环共振器两侧长边背向连接的单开口金属环。金属谐振单元中,中心电开口环共振器是一个对称封闭结构的谐振器,两侧开口环为非对称开放结构的谐振器,以此来实现三谐振结构。本发明所提供的太赫兹波段三谐振吸收峰超颖材料在太赫兹波段具有三个非常明显的吸收峰,且三个谐振峰之间区分明显。本发明可利用微电子加工工艺进行加工、价格低廉,在太赫兹波段通信领域(包括开关、调制解调器、滤波器等方面)具有很大的潜在应用价值。
申请公布号 CN102427150A 申请公布日期 2012.04.25
申请号 CN201110226812.4 申请日期 2011.08.09
申请人 电子科技大学 发明人 张雅鑫;乔绅;凌伟;刘盛纲
分类号 H01P1/20(2006.01)I 主分类号 H01P1/20(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 葛启函
主权项 一种具有三谐振吸收峰的太赫兹波段超颖材料,包括衬底基片和位于衬底基片表面周期性排列的金属谐振单元;所述金属谐振单元是由线宽为d的金属薄膜线条形成的非对称图形结构;该非对称图形结构包括中间由两个相同的单开口金属环相向连接而成的电开口环共振器,电开口环共振器的开口处宽度为w2、间距为g2;该非对称图形结构还包括两个与电开口环共振器两侧长边背向连接的单开口金属环,其中一个单开口金属环开口处宽度为(d+w1)、开口间距为g1,另一个单开口金属环开口处宽度为金属薄膜线条宽度d、开口间距为g3,且g3>g1;整体金属谐振单元长为Ax、宽为Ay,相邻两个金属谐振单元长度方向上间距为(Lx‑Ax)、宽度方向上间距为(Ly‑Ay)。
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