| 发明名称 | 半导体存储器元件及其制法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体存储器元件及其制法，包括：一第一铁磁性层磁性固定且位于一基板的一第一区域中；一第二铁磁性层近似于第一铁磁性层，以及一阻挡层介于第一铁磁性层与第二铁磁性层的第一部分之间。第二铁磁性层包括一第一部分为磁性自由且位于第一区域中；一第二部分磁性固定于一第一方向且位于基板的一第二区域中，其中第二区域从一第一侧边与第一区域接触；以及一第三部分磁性固定于一第二方向且位于基板的一第三区域中，其中第三区域从一第二侧边与第一区域接触。本发明可降低写入电流而不会劣化(degrading)磁阻(magnetoresistance，MR)及/或热稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN102412257A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110049461.4 | 申请日期 | 2011.02.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 赖志煌;黄胜煌;黄国峰;刘明德;林春荣;高雅真;陈文正 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;刘文意 |
| 主权项 | 一种半导体存储器元件，包括：一第一铁磁性层磁性固定且位于一基板的一第一区域中；一第二铁磁性层近似于该第一铁磁性层，其中该第二铁磁性层包括一第一部分为磁性自由且位于该第一区域中；一第二部分磁性固定于一第一方向且位于该基板的一第二区域中，其中该第二区域从一第一侧边与该第一区域接触；以及一第三部分磁性固定于一第二方向且位于该基板的一第三区域中，其中该第三区域从一第二侧边与该第一区域接触；以及一阻挡层介于该第一铁磁性层与该第二铁磁性层的该第一部分之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||