| 发明名称 |
磁性记忆体及其制造方法与写入方法 |
| 摘要 |
一种磁性记忆体及其制造方法与写入方法。磁性记忆体包括一第一磁性穿隧结构及一第二磁性穿隧结构。第二磁性穿隧结构系与第一磁性穿隧结构电性连接，且第二磁性穿隧结构之体积系小于第一磁性穿隧结构之体积。 |
| 申请公布号 |
TWI361432 |
申请公布日期 |
2012.04.01 |
| 申请号 |
TW097105808 |
申请日期 |
2008.02.19 |
| 申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
何家骅;谢光宇 |
| 分类号 |
G11C11/15 |
主分类号 |
G11C11/15 |
| 代理机构 |
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代理人 |
祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
