发明名称 一种超导体-石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法
摘要 本发明公开了一种超导体-石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法。该方法首先写出约瑟夫森结中狄拉克方程,并对传播方向的哈密顿量进行离散化;利用Floquet定理,将结中由偏压产生的交流效应展开在非平衡格林函数的形式中;然后利用两端的自能项,求出两端的格林函数,进而求出传输区域的格林函数;再由电流公式分别求出直流与交流项;最终,可根据需要调整栅压分布,对负微分电导现象及电流幅度进行优化;由于格林函数在处理微观机制上的优势,因此比较容易考虑电子-声子、电子-电子相互作用等。
申请公布号 CN102393862A 申请公布日期 2012.03.28
申请号 CN201110118753.9 申请日期 2011.05.09
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 曹俊诚;徐公杰;伍滨和
分类号 G06F17/50(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 李仪萍
主权项 一种超导体‑石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法,其特征在于,包括以下步骤:首先写出超导体‑石墨烯‑超导体组成的约瑟夫森异质结中的狄拉克‑波戈留波夫方程,并对传播方向的哈密顿量进行离散化;利用Floquet定理,将所述约瑟夫森异质结中由于偏压产生的约瑟夫森交流效应在希尔伯特空间中展开,并求得所述约瑟夫森异质结两端处的推迟自能项;然后利用所述约瑟夫森异质结两端超导体处的自能项,得到所述约瑟夫森异质结两端的推迟格林函数,进而求出所述约瑟夫森异质结传输区域的格林函数;再根据上述计算由电流公式分别求出直流与各阶交流项;最后通过调整所述约瑟夫森异质结的栅压势场分布,对所得直流与各阶交流项进行调整,优化负微分电导现象及电流大小。
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