发明名称 Belichtungsmaskenherstellungsverfahren, Zeichnungsvorrichtung und Halbleiterbauelementherstellungsverfahren
摘要 Verfahren zum Herstellen einer Belichtungsmaske, gekennzeichnet durch: Vorbereiten von nativen Ebenheitsdaten (1) und vorhergesagten Ebenheitsdaten (2, 2M) in Bezug auf ein Maskenrohlingssubstrat, das in eine Belichtungsmaske zu verarbeiten ist, wobei die vorhergesagten Ebenheitsdaten (2, 2M) Daten in Bezug auf eine Änderung der Ebenheit des Maskenrohlingssubstrats sind, die verursacht wird, wenn das Maskenrohlingssubstrat durch eine Einspannungseinheit einer Belichtungsvorrichtung eingespannt ist; Generieren von Positionskorrekturdaten (4) eines Musters, das auf dem Maskenrohlingssubstrat zu zeichnen ist, basierend auf den nativen Ebenheitsdaten (1) und den vorhergesagten Ebenheitsdaten (2, 2M), derart, dass ein Maskenmuster der Belichtungsmaske auf eine vorbestimmte Position in einem Zustand, in dem die Belichtungsmaske durch die Einspannungseinheit eingespannt ist, gebracht wird; und Zeichnen eines Musters auf dem Maskenrohlingssubstrat, wobei das Zeichnen des Musters ein Zeichnen des Musters mit einer Korrektur einer Zeichnungsposition des Musters und Eingeben von Zeichnungsdaten (6) entsprechend dem Muster und den Positionskorrekturdaten (4) in eine Zeichnungsvorrichtung...
申请公布号 DE102005035144(B4) 申请公布日期 2012.03.15
申请号 DE20051035144 申请日期 2005.07.27
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 ITOH, MASAMITSU
分类号 G03F1/00;G03F1/50;G03F1/68;G03F7/20;H01L21/027 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人
主权项
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