发明名称 |
一种石墨烯器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种石墨烯器件及其制造方法,通过在所述石墨烯衬底上形成具有金属栅极的栅极区,并在栅极区两侧的石墨烯上形成包括纳米级的催化金属颗粒以及其上的碳纳米管的接触塞结构,纳米级的催化金属颗粒一方面有诱导碳纳米管生长的作用外,另一方面还可以起到调节碳纳米管和石墨烯接触时的势垒高度的作用,进而降低石墨烯器件的接触电阻,而且碳纳米管本身具有高导电性,这大大降低了接触塞的体电阻,从而降低石墨烯器件的寄生电阻,提高器件的性能。 |
申请公布号 |
CN102376624A |
申请公布日期 |
2012.03.14 |
申请号 |
CN201010250696.5 |
申请日期 |
2010.08.11 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
王文武;赵超;陈大鹏 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京市立方律师事务所 11330 |
代理人 |
马佑平 |
主权项 |
一种石墨烯器件的制造方法,所述方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成至少包括一层的n型或p型石墨烯层;在所述石墨烯层上形成栅极区,所述栅极区包括金属电极;覆盖未被所述栅极区覆盖的石墨烯层以形成层间介质层;在所述层间介质层内形成石墨烯层的接触塞,其中所述接触塞包括位于石墨烯层上的纳米级的催化金属颗粒及其上的碳纳米管。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |