提高浮栅擦除效率的方法

摘要

本发明公开了一种提高浮栅擦除效率的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成浮栅FG氧化层、FG多晶硅层、氧化层-氮化层-氧化层ONO介质层、控制栅CG多晶硅层、CG氮化硅层、CG氧化硅层、CG氮化硅硬掩膜层；在所述CG氮化硅硬掩膜层上涂布光阻胶，并图案化该光阻胶，以该图案化的光阻胶为掩膜，依次刻蚀所述CG氮化硅硬掩膜层、CG氧化硅层、CG氮化硅层、CG多晶硅层和ONO介质层，形成两个CG；在每个CG的两侧形成CG侧壁层；在所述CG侧壁层的外侧形成一牺牲层；以所述CG侧壁层、牺牲层以及CG为掩膜，刻蚀FG多晶硅层，形成FG；去除所述牺牲层；在CG侧壁层和FG的外侧依次形成氧化层、沉积多晶硅膜，所述多晶硅膜最终将形成擦除栅EG。采用该方法能够有效提高浮栅的擦除效率。

主权项

一种提高浮栅擦除效率的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成浮栅FG氧化层、FG多晶硅层、氧化层‑氮化层‑氧化层ONO介质层、控制栅CG多晶硅层、CG氮化硅层、CG氧化硅层、CG氮化硅硬掩膜层；在所述CG氮化硅硬掩膜层上涂布光阻胶，并图案化该光阻胶，以该图案化的光阻胶为掩膜，依次刻蚀所述CG氮化硅硬掩膜层、CG氧化硅层、CG氮化硅层、CG多晶硅层和ONO介质层，形成两个CG；在每个CG的两侧形成CG侧壁层；在所述CG侧壁层的外侧形成一牺牲层；以所述CG侧壁层、牺牲层以及CG为掩膜，刻蚀FG多晶硅层，形成FG；去除所述牺牲层；在CG侧壁层和FG的外侧依次形成氧化层、沉积多晶硅膜，所述多晶硅膜最终将形成擦除栅EG；其中，所述FG和EG在水平方向上是部分重叠的，重叠部分在10埃至90埃之间。