发明名称 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 웨이퍼 레벨 가공에 의해 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 웨이퍼 레벨에서 반도체 장치를 형성하는 경우에, 반도체 웨이퍼를 구성하는 각각의 반도체 칩에 대한 검사 결과에 근거하여, 양품으로 판정된 반도체 칩에 대하여 재배선 패턴을 포함하는 회로를 형성하는 처리를 수행하고, 불량품으로 판정된 반도체 칩에 대하여 양품의 반도체 장치 또는 반도체 장치 형성 후에 형성된 반도체 장치를 검사할 때 검사 장비에 악영향을 주는 것을 회피하기 위해, 재배선 패턴을 형성하지 않는 처리를 수행한다.
申请公布号 KR101117617(B1) 申请公布日期 2012.03.07
申请号 KR20050014996 申请日期 2005.02.23
申请人 发明人
分类号 H01L21/66;H01L23/12 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
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