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Chemisch-mechanisches Polierverfahren für das Polieren eines Halbleiter-Wafers, das umfaßt: – Rotieren eines mit einer Justiermarke versehenen Wafers bei einer Wafer-Rotationsrate und einer Polierfläche bei einer nichtabgestimmten Rotationsrate, wobei die Wafer-Rotationsrate und die nichtabgestimmte Rotationsrate nicht gleich sind; – Berühren des bei der Wafer-Rotationsrate rotierenden Wafers und der bei der nichtabgestimmten Rotationsrate rotierenden Polierfläche, sodass eine Vielzahl von Punkten auf dem Wafer poliert wird; und – Korrigieren der Wafer-Rotationsrate und der nichtabgestimmten Rotationsrate, sodass nach Ablauf der Gesamtpolierzeit eine gemittelte Umdrehungsgeschwindigkeit von Null für einen jeden der Vielzahl der Punkte auf dem Wafer, bezogen auf die den Wafer polierenden Polierfläche, erreicht wird, – wobei das Korrigieren ein Umkehren der Drehrichtung des Wafers auf eine entgegengesetzte, jedoch gleiche korrigierte Wafer-Rotationsrate und der Polierfläche auf eine entgegengesetzte, jedoch gleiche korrigierte nichtabgestimmte Rotationsrate umfaßt.
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