发明名称 硫化处理应变式砷化铝铟/砷化镓铟异质接面场效应电晶体(MHEMT)之方法
摘要 本发明系一种硫化处理应变式砷化铝铟/砷化镓铟异质接面场效应电晶体(MHEMT)之方法,其系利用硫化处理应用在应变式砷化铝铟/砷化镓铟异质接面场效应电晶体(MHEMT)元件,做闸极的钝化处理,使启始电压提升,表面漏电流减少,表面状态密度也增强,使其能运用在高电流密度和高输入功率范围。
申请公布号 TWI358772 申请公布日期 2012.02.21
申请号 TW095141204 申请日期 2006.11.07
申请人 长庚大学 桃园县龟山乡文化一路259号 发明人 邱显钦;张连璧;黄元昌;陈重文;李纬宪
分类号 H01L21/335 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
主权项
地址 桃园县龟山乡文化一路259号