用于快闪记忆晶胞的ONO内复晶介电质以及使用一单晶圆低温沈积制程来制作此介电质之方法ONO INTERPOLY DIELECTRIC FOR FLASH MEMORY CELLS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME USING A SINGLE WAFER LOW TEMPERATURE DEPOSITION PROCESS

摘要

一种半导体元件的制造方法，包括提供一个晶圆基底，在晶圆基底上形成一层第一氧化矽层；利用低温沈积制程在第一氧化矽层上沈积一层氮化物层；以及在氮化物层上形成一层第二氧化矽层。低温制程可以在约为摄氏700度的温度下形成一层氮化物层，作为氧化物–氮化物–氧化物(ONO)介电质结构的一部份，透过这样的制程，ONO介电质结构可以用低温沈积制程来制作，这可以降低ONO介电质结构的厚度。