一种自对准的垂直式非挥发性半导体存储器件

摘要

本发明属于半导体存储器件技术领域，具体涉及一种自对准的垂直式非挥发性半导体存储器件。包括：一个半导体衬底,一个具有第一种掺杂类型的漏区,两个具有第二种掺杂类型的源区,一个用于捕获电子的堆叠栅;其中，漏区和两个源区和堆叠栅组成两个共享一个栅极和一个漏极的隧穿场效应晶体管，每个所述隧穿场效应晶体管的漏区电流受到所述用于捕获电子的堆叠栅内的电荷量及分布影响，漏区掩埋在半导体衬底内，源区在漏区之上并通过一个沟道与漏区隔开，而且两个源区又被一个由第一种掺杂的区域隔开。本发明的半导体存储器件单元面积小，制造工艺简单。采用本发明的存储器芯片的制造成本低，存储密度高。

主权项

一种自对准的垂直式非挥发性半导体存储器件，其特征在于包括：一个半导体衬底（107） ；一个具有第一种掺杂类型的漏区（108）；两个具有第二种掺杂类型的源区（101a，101b）；两个源区之间为沟道区（106）；一个用于捕获电子的堆叠栅，该堆叠栅结构依次为第一介质（104）、第二介质（103）、第三介质（102）以及金属栅（105）；其中，所述的漏区和两个源区和堆叠栅组成两个共享一个栅极和一个漏极的隧穿场效应晶体管，并且，每个所述隧穿场效应晶体管的漏区电流受到所述用于捕获电子的堆叠栅内的电荷量及分布影响，所述的漏区掩埋在所述的半导体衬底内，所述的源区在所述漏区之上并通过一个沟道与漏区隔开，而且所述的两个源区又被一个由第一种掺杂的区域隔开。