发明名称 |
具有侧斜面之线路层元件之内埋式基板及其制造方法 |
摘要 |
本发明系关于一种具有侧斜面之线路层元件之内埋式基板及其制造方法。该内埋式基板包括一介电层及一线路层元件。该介电层具有一上表面及一容置槽。该线路层元件位于该容置槽内。该线路层元件具有一上表面、一化学铜层、一电镀铜层及一侧斜面。该上表面系等高于或低于该介电层之上表面。该化学铜层具有钯(Pd)。该电镀铜层位于该化学铜层上。该侧斜面位于该线路层元件之上表面靠近该容置槽之孔壁处,且由该线路层元件之上表面向下延伸至该容置槽之孔壁。藉此,该线路层元件之侧斜面,可避免知技术中电子聚集于该线路层元件之尖角。 |
申请公布号 |
TWI358248 |
申请公布日期 |
2012.02.11 |
申请号 |
TW098115918 |
申请日期 |
2009.05.13 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 高雄市楠梓加工区经三路26号 |
发明人 |
李志成 |
分类号 |
H05K3/18;H05K3/06 |
主分类号 |
H05K3/18 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡东贤 台北市松山区敦化北路201号7楼;林志育 高雄市前镇区复兴四路12号9楼之13 |
主权项 |
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地址 |
高雄市楠梓加工区经三路26号 |