| 发明名称 | 半导体器件结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法。该方法包括：在半导体衬底上形成栅极线；环绕栅极线形成栅极侧墙；在栅极线的两侧，嵌入半导体衬底中形成源/漏区；环绕栅极侧墙形成导电侧墙；以及在预定区域切断栅极线、栅极侧墙和导电侧墙，切断的栅极线形成电隔离的栅极，切断的导电侧墙形成电隔离的下接触部。本发明的实施例适用于集成电路中接触部的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN102347277A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN201010242704.1 | 申请日期 | 2010.07.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;尹海洲 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件结构的方法，包括：在半导体衬底上形成栅极线；环绕所述栅极线形成栅极侧墙；在所述栅极线的两侧，嵌入所述半导体衬底中形成源/漏区；环绕所述栅极侧墙形成导电侧墙；以及在预定区域切断所述栅极线、栅极侧墙和导电侧墙，切断的栅极线形成电隔离的栅极，切断的导电侧墙形成电隔离的下接触部。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||