应变半导体器件及其制造方法

摘要

在一种用于形成半导体器件的方法中，栅电极形成在半导体主体(例如，块硅衬底或SOI层)上方。栅电极与半导体主体电绝缘。第一侧壁隔层沿栅电极的侧壁形成。牺牲侧壁隔层靠近第一侧壁隔层形成。牺牲侧壁隔层和第一侧壁隔层覆盖半导体主体。平面化层形成在半导体主体上方，以使得部分平面化层靠近牺牲侧壁隔层。牺牲侧壁隔层然后可以被除去，凹槽可以被蚀刻在半导体主体中。该凹槽在第一侧壁隔层和部分平面化层之间基本对准。半导体材料(例如，SiGe或SiC)然后可以形成在凹槽中。

主权项

一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体主体上形成栅电极，该栅电极与半导体主体电绝缘；沿栅电极的侧壁形成第一侧壁隔层；靠近第一侧壁隔层形成牺牲侧壁隔层，该牺牲侧壁隔层和第一侧壁隔层覆盖半导体主体；在半导体主体上方形成平面化层，以使得部分平面化层靠近牺牲侧壁隔层；除去牺牲侧壁隔层；在半导体主体中蚀刻凹槽，该凹槽向第一侧壁隔层和部分平面化层自对准；以及在凹槽中形成半导体材料，其中该凹槽中的半导体材料的晶格常数不同于在所述半导体主体的晶格常数。