一种气敏传感器

摘要

本发明涉及微机电系统技术领域，公开了一种气敏传感器，包括单晶硅衬底，起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层，加热测温电极、叉指电极，加热测温电极和叉指电极之间的电绝缘层，叉指电极引出线压焊点、加热测温电极引出线压焊点和气体敏感层；所述电绝缘层在所述加热测温电极形成后淀积在所述加热测温电极上，所述叉指电极形成于所述电绝缘层上，所述气体敏感层淀积在所述叉指电极上。利用本发明，提高了器件被加热的工作区域部分与周围的热绝缘，降低了器件功耗，简化了器件中加热和测温部分的结构，有利于器件的大量生产以及和信号采集处理电路的集成。

主权项

一种气敏传感器，其特征在于，该气敏传感器包括单晶硅衬底(1)，起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层(2)，加热测温电极(9)，叉指电极(8)，加热测温电极(9)和叉指电极(8)之间的电绝缘层，叉指电极引出线压焊点(6)、加热测温电极引出线压焊点(7)和气体敏感层(10)；所述加热测温电极(9)由二氧化硅/氮化硅层(2)形成的支撑臂(11)固定在单晶硅衬底(1)上，支撑臂(11)下方为空腔结构，该空腔结构用于增大器件与周围的热绝缘，是利用KOH对硅进行各向异性腐蚀，将器件下方的硅腐蚀掉而形成的；所述支撑臂(11)上淀积有金属引线，加热测温电极(9)和叉指电极(8)通过各自的金属引线分别与加热测温电极引出线压焊点(7)和叉指电极引出线压焊点(6)相连接；所述电绝缘层为二氧化硅电绝缘层(3)，或为氮化硅电绝缘层(4)，或为二氧化硅电绝缘层(3)和氮化硅电绝缘层(4)；所述电绝缘层在所述加热测温电极(9)形成后依次淀积在所述加热测温电极(9)上，所述叉指电极(8)形成于所述电绝缘层上，所述气体敏感层(10)淀积在所述叉指电极(8)上。