| 发明名称 | 耐电迁移银铟合金键合丝及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种耐电迁移银铟合金键合丝，组成键合丝的材料各成份重量百分比为：其中银含量为96%～97.5%，铟含量为2～3%，金含量为0.5～1%，力学、电学测试及微区成分分析表明该键合丝材料具有优于相同尺寸黄金线的抗拉强度和接近的硬度以及良好的耐电迁移性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102312120A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201110255847.0 | 申请日期 | 2011.09.01 |
| 申请人 | 王一平 | 发明人 | 王一平 |
| 分类号 | C22C5/06(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;B21C1/00(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01B5/02(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | C22C5/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人 | 郭俊玲 |
| 主权项 | 一种耐电迁移银铟合金键合丝，其特征在于：组成键合丝的材料各成份重量百分比为：其中银含量为96～97.5%，铟含量为2～3%，金含量为0.5～1%。 | ||
| 地址 | 210008 江苏省南京市鼓楼区平仓巷1号3幢501室 | ||