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发明名称 SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR HAVING CHARGE STORAGE LAYER AND FABRICATION METHOD OF THE SAME
摘要
申请公布号 KR101102406(B1) 申请公布日期 2012.01.05
申请号 KR20100056620 申请日期 2010.06.15
申请人 发明人
分类号 H01L27/115;H01L21/8247 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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