发明名称 包含第Ⅳ-Ⅵ族半导体核-壳纳米晶的光伏电池
摘要 本发明涉及包含作为光活性成分的第IV-VI族半导体纳米晶的光伏电池。具体地说,这些纳米晶具有核-壳或核-合金化壳的构型,每一个都分别包含具有选定带隙能的第一IV-VI族半导体材料的核和由第二IV-VI族半导体材料组成的核外覆壳或由所述第一IV-VI族半导体材料与第二IV-VI族半导体材料的合金组成的核外覆合金化壳。
申请公布号 CN102308393A 申请公布日期 2012.01.04
申请号 CN200880120105.3 申请日期 2008.12.14
申请人 泰克尼昂研究开发基金有限公司;默克专利股份公司 发明人 E·利弗斯兹;V·依拉利斯
分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01L31/055(2006.01)I 主分类号 H01L31/0352(2006.01)I
代理机构 北京市铸成律师事务所 11313 代理人 于晓霞
主权项 一种包含作为光活性成分的第IV‑VI族半导体纳米晶的光伏电池,其中所述纳米晶是:(i)核‑壳半导体纳米晶,其每一个包含具有选定带隙能的第一IV‑VI族半导体材料的核和由第二IV‑VI族半导体材料组成的核外覆壳;或(ii)核‑合金化壳半导体纳米晶,其每一个包含具有选定带隙能的第一IV‑VI族半导体材料的核和由所述第一IV‑VI族半导体材料与第二IV‑VI族半导体材料的合金组成的核外覆合金化壳。
地址 以色列海法