Ⅲ族氮化物器件和电路

摘要

提供一种III族氮化物基高电子迁移率晶体管，其具有连接栅极的接地场板。该连接栅极的接地场板器件可以将密勒电容效应最小化。该晶体管可以形成为高电压耗尽型晶体管并可以与低电压增强型晶体管结合使用，以形成按照单一高电压增强型晶体管操作的组件。

主权项

一种III‑N族基高电子迁移率晶体管(HEMT)，其包括：一系列III‑N族层，所述一系列III‑N族层形成2DEG沟道；栅电极，所述栅电极位于栅区中的所述一系列III‑N族层的第一侧上；场板，所述场板与所述栅电极电连接并通过电绝缘体与所述III‑N族层隔开；以及地连接，所述地连接电连接于所述场板和所述栅电极，从而形成连接栅极的接地场板。