| 主权项 |
一种薄膜之处理设备，包括有：一加热机构；一承载机构，系设于对应加热机构之位置处，其包含有一基板、及一设于基板一面外侧之辅助板；以及一待处理薄膜，系设于基板与辅助板之间。依申请专利范围第1项所述之薄膜之处理设备，其中，该加热机构至少包含有一加热单元、一与加热单元连接之温控单元、及一与温控单元连接且设于承载机构一侧之高温计。依申请专利范围第2项所述之薄膜之处理设备，其中，该加热单元系辐射式，包含有多数钨卤素灯管。依申请专利范围第1项所述之薄膜之处理设备，其中，该基板与辅助板系可为相同材质、相同厚度及对加热辐射具穿透性之玻璃。依申请专利范围第1项所述之薄膜之处理设备，其中，待处理薄膜对加热辐射系不具穿透性。依申请专利范围第2项所述之薄膜之处理设备，其中，高温计系辐射式，可透过基板及辅助板测温。依申请专利范围第2项所述之薄膜之处理设备，其中，基板及辅助板系可供加热单元之热辐射通过加热。依申请专利范围第2项所述之薄膜之处理设备，其中，加热单元与高温计系可分别位于待处理薄膜之任意两侧。依申请专利范围第1项所述之薄膜之处理设备，其中，该辅助板对应基板之一面系设有一凹陷区，使该待处理薄膜可限位于凹陷区中。依申请专利范围第1项所述之薄膜之处理设备，其中，该辅助板对应基板之一面系设有一凹陷区，该凹陷区系连通有一填充单元，而该待处理薄膜系可限位于凹陷区中。依申请专利范围第10项所述之薄膜之处理设备，其中，该填充单元系包含有一元素蒸气补充器、及一连通凹陷区与元素蒸气补充器之管体。依申请专利范围第1项所述之薄膜之处理设备，其中，该待处理薄膜系可为太阳能薄膜。 |
