发明名称 |
一种异质结太阳电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种异质结太阳电池及其制备方法,属于太阳能电池器件技术领域。该异质结太阳电池的特点在于:在透明导电膜和第一型非晶硅之间还具有一层第一型非晶碳化硅层,该层膜厚10~50nm;在准单晶硅层和金属膜之间还具有一层透明导电膜,该层膜厚为100~300nm。其制备过程为:利用p(或n)型单晶硅片制备双层多孔硅,H2退火后再先后生长p(或n)型晶体硅层和本征晶体硅层;然后依次对样品表面进行H2处理、制备本征非晶硅层、n(或p)型非晶硅层、n(或p)型非晶碳化硅层,器件制备完后实施层转移。本发明可在获得高质量硅薄膜的同时使硅片得到重复使用;窗口层的导电性和透过率更高;在低温下实现良好的电极接触。 |
申请公布号 |
CN102299206A |
申请公布日期 |
2011.12.28 |
申请号 |
CN201110252052.4 |
申请日期 |
2011.08.30 |
申请人 |
南京航空航天大学 |
发明人 |
沈鸿烈;岳之浩;张磊;吴天如;刘斌;吕红杰 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/072(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
叶连生 |
主权项 |
一种异质结太阳电池,依次由普通玻璃、环氧树脂、透明导电膜、第一型非晶硅、本征非晶硅、本征晶体硅、第二型晶体硅、准单晶硅层和金属膜构成,其特征在于:在透明导电膜和第一型非晶硅之间加入了一层第一型非晶碳化硅层,该层膜厚10~50nm;在准单晶硅层和金属膜之间加入了一层透明导电膜,该层膜厚为100~300nm;其中,当第一型非晶硅为n型非晶硅时,第二型晶体硅为p型晶体硅;第一型非晶硅为p型非晶硅时,第二型晶体硅为n型晶体硅。 |
地址 |
210016 江苏省南京市白下区御道街29号 |