| 摘要 |
<p>1. Способ получения монокристаллического SiC сублимацией источника SiC на затравочный монокристалл SiC, предусматривающий предварительное травление поверхности затравочного монокристалла SiC в процессе подъема температуры в ростовой ячейке, отличающийся тем, что травление поверхности затравочного кристалла SiC проводят сублимированным AlN, используя источник AlN, размещенный между затравочным кристаллом и источником SiC.</p>
<p>2. Способ получения монокристаллического SiC по п.1, отличающийся тем, что в качестве источника AlN используют порошок AlN, размещенный в кювете, закрепленной в ростовой ячейке на держателе напротив затравочного кристалла.</p>
<p>3. Способ получения монокристаллического SiC по п.1, отличающийся тем, что в качестве источника AlN используют пластину со слоем AlN, закрепленную на стенке ростовой ячейки на держателе напротив затравочного кристалла.</p>
<p>4. Способ получения монокристаллического SiC по п.1, отличающийся тем, что количество размещаемого в ростовой ячейке AlN определяют из расчета</p>
<p>M=3πnRρ(H<Sup>2</Sup>+r<Sup>2</Sup>),</p>
<p>где М - количество размещаемого в ростовой ячейке AlN, г,</p>
<p>n=0,5-3,0 - параметр статистического разброса,</p>
<p>R - глубина нарушенного слоя затравочного кристалла, см,</p>
<p>ρ=3,2 - плотность монокристалла SiC, г/см<Sup>3</Sup>,</p>
<p>Н - расстояние "затравочный кристалл - источник AlN", см,</p>
<p>r - радиус затравочного кристалла, см.</p> |
