选择性地抛光碳化硅膜的方法

摘要

本发明提供用于从基材表面优先于二氧化硅选择性地移除碳化硅的方法。该方法包括用抛光组合物研磨基材的表面，该抛光组合物包含粒状研磨剂、至少一种酸性缓冲剂、和含水载体。

主权项

用于从基材表面优先于二氧化硅选择性地移除碳化硅的化学机械抛光(CMP)方法，该方法包括以下步骤：(a)使该基材的表面与抛光垫和含水CMP组合物接触；和(b)使该基材与该抛光垫之间发生相对运动并同时保持该CMP组合物的一部分与在该垫和该基材之间的表面接触一段足以从该表面磨除存在于该基材中的碳化硅的至少一部分的时间；其中该CMP组合物包含以在约0.1重量％至约5重量％范围内的浓度存在的粒状二氧化硅研磨剂和提供在约2至约7范围内的pH的酸性缓冲剂，该CMP组合物能够以比同时发生的存在于该基材表面上的二氧化硅的磨除高的移除速率磨除存在于该基材表面上的碳化硅。