发明名称 记忆体装置以及使用与制造该装置之方法
摘要
申请公布号 TWI354388 申请公布日期 2011.12.11
申请号 TW093119380 申请日期 2004.06.30
申请人 史班遜有限公司 美國 发明人 蓝志达;泛布 麦可A;比尔 柯林
分类号 H01L51/00;G11C13/00 主分类号 H01L51/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 一种记忆体单元(104),包括:第一电极(106、202);第二电极(108、204);以及可控制导电媒介(controllably conductive media),系在该第一电极与该第二电极(110)之间,该可控制导电媒介包括:低导电层(112),包括共轭有机聚合物、共轭有机金属化合物、共轭有机金属聚合物、巴克球(buckyball)、碳奈米管与低导电硫属化物(chalcogenide)之至少其中一种,以及被动层(114),包括促进导电层(conductivity facilitating layer)。
地址 美国
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