| 发明名称 | 等离子体处理装置以及等离子体CVD成膜方法 | ||
| 摘要 | 该等离子体处理装置，包括：处理室(101)，具有反应室(2a)；支撑部(15)，被收容在所述反应室(2a)内，载置有具有处理室(10a)的基板(10)，并控制所述基板(10)的温度；簇射极板(5)，被收容在所述反应室(2a)内，以与所述处理室(10a)对置的方式配置，并向所述基板(10)提供工艺气体；以及压力调整板(51)，将设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(24)分为在气体导入口(42)侧形成的第一空间(24a)与在所述簇射极板(5)侧形成的第二空间(24b)，所述基板(10)与所述簇射极板(5)之间的距离为3mm以上、10mm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102272897A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN201080004140.6 | 申请日期 | 2010.01.05 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 杨晶;王琦 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理室，由腔室、具有气体导入口的电极法兰、和由所述腔室与所述电极法兰夹着的绝缘法兰形成，并具有反应室；支撑部，被收容在所述反应室内，载置有具有处理面的基板，并控制所述基板的温度；簇射极板，被收容在所述反应室内，以与所述处理面对置的方式配置，并向所述基板提供工艺气体；压力调整板，将设置在所述电极法兰与所述簇射极板之间的空间分为在所述气体导入口侧形成的第一空间与在所述簇射极板侧形成的第二空间；以及电压施加部，在所述簇射极板与所述支撑部之间施加电压，生成所述工艺气体的等离子体，所述基板与所述簇射极板之间的距离为3mm以上且10mm以下。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||