| 发明名称 | 一种偏振出光发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有二维表面周期结构的偏振出光发光二极管，它是一种有源偏振出光光学器件。它的发光二极管芯片包括基底、n型层，量子阱、p型层；在p型层的上表面制备具有二维周期结构的金属表面层；或制备一介质过渡层与具有二维周期结构的金属表面层的复合结构。二维周期点阵的一个方向x，它的周期a为70～180纳米，与x垂直的y方向的周期b为a的40%～80%。介质过渡层的折射率n满足条件为1.0<n<p型介质层的折射率。采用本发明技术方案，实现了发光二极管直接出偏振光的目的，并能有效增强发光二极管的透射率和偏振度，使发光器件的整体体积大大缩小，同时它可通过半导体光刻工艺一次性集成在发光芯片上，易实现产业化。 | ||
| 申请公布号 | CN102263183A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN201110242940.8 | 申请日期 | 2011.08.23 |
| 申请人 | 苏州大学;苏州纳维科技有限公司 | 发明人 | 韩琴;曹冰;张桂菊;王钦华;王建峰;徐科 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2010.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 陶海锋 |
| 主权项 | 一种偏振出光发光二极管，它的发光二极管芯片包括基底（1），n型层（2）、量子阱（3）、p型层（4）；其特征在于：在发光二极管芯片的出光表面上制备二维周期点阵结构表面层（6）；所述二维周期点阵的一个方向x，它的周期a为70～180纳米，与x垂直的y方向的周期b为a的40%～80%；点阵为突起的柱体或嵌入式孔穴，其形状为圆形或长方形，柱体的高度或孔穴的深度为50～400纳米,圆形点阵的直径或长方形点阵的边长为周期b的70%～100%。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 | ||