一种访问Nand闪存数据的方法和装置

摘要

本发明公开了一种访问Nand闪存数据的方法，创建Nand缓存，在访问Nand闪存数据时，先根据要访问的Nand闪存的线性地址，计算出要访问的Nand闪存的物理块号(WriteBlockNum)，再根据WriteBlockNum和各缓存块的管理信息中的命中块号判断是否在Nand缓存中命中缓存块，如果命中，则对命中的缓存块进行访问；如果未命中，则在访问为写操作时，申请缓存块，并将WriteBlockNum记录到命中块号，再对此缓存块进行写操作；在访问为读操作时，直接从Nand闪存中读取数据；本发明同时还公开了一种访问Nand闪存数据的装置；采用本发明的方案大大提高了对Nand闪存的读写速度。

主权项

一种访问Nand闪存数据的方法，其特征在于，该方法包括：创建Nand缓存，初始化Nand缓存中各缓存块管理信息中的命中块号；在对Nand闪存数据访问时，根据要访问的Nand闪存的线性地址，计算出要访问的Nand闪存的物理块号；根据所述物理块号和命中块号判断是否命中缓存块，如果命中，则对命中的缓存块进行访问；如果未命中，则在写操作时，在Nand缓存中申请未使用的缓存块，并将所述物理块号记录到命中块号，再对此缓存块进行写操作；在读操作时，根据要读的线性地址，从Nand闪存中读取数据。