| 发明名称 | 一种发光多孔硅的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及光电子领域，具体的说是一种发光多孔硅的制备方法。制备：将预处理的单晶硅片于I号清洗液中煮至沸腾，取出单晶硅片用热、室温去离子水冲洗；冲洗后在氢氟酸溶液浸泡；浸泡后的单晶硅片于II号清洗液中煮沸2～3分钟，取出单晶硅片再用热、室温去离子水冲洗，吹干待用；其中I号清洗液为NH4OH、H2O2和H2O的混合液；II号清洗液为HCl、H2O2和H2O的混合液；单晶硅片等离子体浸没离子注入：将清洗后的单晶硅片置于等离子体浸没离子注入机内，注入10～30min，即得发光多孔硅。本发明工艺过程简单、易于操作控制，有利于环保；并且通过本发明制备所得的多孔硅表面平整、串孔率低、分布均匀。 | ||
| 申请公布号 | CN102259875A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN201010181009.9 | 申请日期 | 2010.05.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘邦武;夏洋;刘杰;李超波;李勇滔;王文东;汪明刚 |
| 分类号 | C01B33/18(2006.01)I;H01L33/18(2010.01)I;H01L33/34(2010.01)I;C09K11/59(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 一种发光多孔硅的制备方法，其特征在于：1）将预处理的单晶硅片于I号清洗液中煮至沸腾，取出单晶硅片用热、室温去离子水冲洗；冲洗后在氢氟酸溶液浸泡；2）浸泡后的单晶硅片于II号清洗液中煮沸2～3分钟，取出单晶硅片再用热、室温去离子水冲洗，吹干待用；3）单晶硅片等离子体浸没离子注入：将清洗后的单晶硅片置于等离子体浸没离子注入机内，注入10～30min，即得发光多孔硅；其中I号清洗液为NH4OH、H2O2和H2O的混合液； II号清洗液为HCl、H2O2和H2O的混合液。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||