消除半导体材料缺陷的方法

摘要

本发明涉及消除半导体材料缺陷的方法。使用氦低温保持器，用24小时将衬底晶片的温度降至2.2开尔文。均温段将使衬底晶片的温度在2.2开尔文保持96小时。在该温度，诸如GaAs、InP和GaP等合金将形成偶极分子矩，其在分子键缩短时沿着内磁力线重新对齐。用24小时使衬底晶片的温度斜升至室温。使衬底晶片的温度斜升以确保晶片内出现的温度梯度维持在较低的水平。通常，回火斜升温度介于300°F～1100°F之间并取决于用于构造该衬底晶片的单晶材料。衬底晶片经历回火保持段，其确保整个衬底晶片均具有回火温度的受益。

主权项

一种方法，所述方法包括：使单晶的温度以一定冷却速率斜降至足以从所述单晶中除去晶体缺陷的水平；和在所述斜降之后，使所述单晶的温度斜升至室温。