发明名称 阵列基板制造方法
摘要 本发明涉及一种阵列基板的制造方法,包括:提供基板,在其上沉积并刻蚀第一金属层,形成第一金属互联线、第一短路线、第一静电放电保护电极;在所述第一短路线、第一金属互联线、第一静电放电保护电极上方形成并刻蚀绝缘层,在所述第一短路线、第一金属互联线、第一静电放电保护电极上方的绝缘层分别形成过孔;在所述绝缘层上方沉积并刻蚀第二金属层形成通过过孔与第一金属互联线电连接的第二金属互联线、第二短路线、通过过孔与第一静电放电保护电极的第二静电放电保护电极,所述第二短路线连接第二金属互联线和第二静电放电保护电极;将第一短路线刻蚀断开。所述方法从第一道工艺开始对X射线探测器进行静电放电保护,没有增加工艺步骤。
申请公布号 CN102244082A 申请公布日期 2011.11.16
申请号 CN201010178636.7 申请日期 2010.05.13
申请人 上海天马微电子有限公司 发明人 金利波;邱承彬;夏军;李懿馨;凌严;于祥国
分类号 H01L27/144(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L27/144(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种具有静电保护的阵列基板制造方法,所述方法包括:提供基板,在所述基板上沉积第一金属层;对所述第一金属层进行刻蚀,形成第一金属互联线、第一短路线、第一静电放电保护电极,所述第一短路线连接第一金属互联线和第一静电放电保护电极;在所述第一短路线、第一金属互联线、第一静电放电保护电极上方形成绝缘层;对所述绝缘层进行刻蚀,在所述第一短路线、第一金属互联线、第一静电放电保护电极上方的绝缘层分别形成过孔;在所述绝缘层上方沉积第二金属层;对所述第二金属层进行刻蚀,形成通过过孔与第一金属互联线电连接的第二金属互联线、第二短路线、通过过孔与第一静电放电保护电极的第二静电放电保护电极,所述第二短路线连接第二金属互联线和第二静电放电保护电极;通过所述第一短路线上的过孔对所述第一短路线进行刻蚀,将所述第一短路线刻蚀断开。
地址 201201 上海市浦东新区汇庆路889号