NAND FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要
<p>낸드형 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이 플래시 메모리 소자는 슬릿형의 콘택홀 내에 금속막을 포함하는 공통 소오스라인을 형성하여 공통 소오스라인의 단면적이 축소되더라도 충분히 높은 셀 전류를 확보할 수 있다. 또한, 금속막에 함유된 모바일 이온이 확산되는 것을 방지하기 위하여 공통 소오스라인과 층간절연막 사이에 장벽 절연막이 개재된다.</p>
