发明名称 |
光电阴极、光电倍增管和电子管 |
摘要 |
本发明涉及具有与传统技术相比显著提高有效量子效率的结构的光电阴极、光电倍增管和电子管。光电阴极包括传送或阻碍入射光的支撑基板、设置在支撑基板上的含有碱金属的光电子发射层、和设置在支撑基板和光电子发射层之间的底层。特别地,底层含有氧化铍,并调节其厚度使得底层和光电子发射层的厚度比落入特定范围内。该结构使得人们可以获得量子效率显著提高的光电阴极。 |
申请公布号 |
CN101211730B |
申请公布日期 |
2011.11.09 |
申请号 |
CN200710305894.5 |
申请日期 |
2007.12.28 |
申请人 |
浜松光子学株式会社 |
发明人 |
渡瀬文雄;山下真一;渡边宏之 |
分类号 |
H01J1/34(2006.01)I;H01J40/06(2006.01)I;H01J40/16(2006.01)I;H01J40/04(2006.01)I;H01J43/06(2006.01)I;H01J43/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种光电阴极,具有使得具有预定波长的光入射的光入射面和响应于光入射而发射光电子的光电子发射面,其特征在于,包括:支撑基板,具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面;光电子发射层,具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面,并含有碱金属,所述光电子发射层设置在所述支撑基板的第二主面上,使得所述光电子发射层的第一主面面向所述支撑基板的第二主面;和底层,设置在所述支撑基板和所述光电子发射层之间,同时与所述支撑基板的第二主面和所述光电子发射层的第一主面均直接接触,所述底层含有铍元素。 |
地址 |
日本静冈县 |