一种低比接触电阻、低粗糙度欧姆接触制作方法

摘要

本发明公开了一种低比接触电阻、低粗糙度欧姆接触制作方法，其特征在于在欧姆接触金属种引入难容的Mo金属，形成TiAlNiMoAu组合，在相同的合金条件下降低了合金后的表面粗糙度和比接触电阻率。该方法利用Mo的低扩散性，以及匹配的二元合金相，既实现了低接触电阻又降低了合金后欧姆接触的粗糙度，又有助于提高工艺中光刻工艺的套刻精度，减小工艺步骤，提高欧姆接触的稳定性，为器件工艺实用化打下坚实的基础。

主权项

一种低比接触电阻、低粗糙度欧姆接触的制作方法，其特征在于所述制作方法包括以下步骤：A.蒸发形成欧姆接触：将处理洁净的的金属源（包括金属Ti，Al，Ni，Mo和Au）放入电子束蒸发台的坩埚中，之后进行熔源工艺，使金属满足蒸发需要；之后将光刻好欧姆接触图形的GaN外延材料晶圆放置在电子束蒸发台的行星架上，待电子束蒸发台腔室内真空度抽至7×10‑7Torr，按Ti、Al、Ni、Mo、Au顺序依次进行金属蒸发过程，形成欧姆接触；B.剥离：将蒸发好的晶圆分别在加热平台上的热1165溶液、丙酮、异丙醇中依次浸泡，在每种溶液中浸泡的时间至少为10分钟，最后用去离子水冲洗，氮气吹干；C.合金：将晶圆在快速热处理设备中进行高温快速热处理；D.测试：用探针台和图示仪组成的直流参数测试系统测试合金后的接触电阻值。