发明名称 一种传送反应物到基片的装置及其处理方法
摘要 一种传送反应物到基片的装置及其处理方法,包括一个支撑部件,具有一个朝上的表面,可旋转地支撑基片;一个传送元件,包括一个具有外边沿的主体,主体具有一第一表面和一个相对的第二表面,第二表面靠近基片放置,其中传送元件的第二表面中形成一个纵长的大体上连续的通道,通道与反应物源连通,所述纵长的大体上连续的通道将反应物传送到基片上。
申请公布号 CN101003895B 申请公布日期 2011.10.19
申请号 CN200610023328.0 申请日期 2006.01.16
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 张宝戈;何乃明;王树林;傅丽;吕青
分类号 C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I 主分类号 C23C16/44(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 王洁
主权项 一种传送反应物到基片的装置,包括:一个支撑部件,其具有一个朝上的表面,并可以旋转地支撑基片;一个传送元件,包括一第一表面和一个相对的第二表面和主体,其中,第二表面靠近基片放置,传送元件的第二表面中形成有一纵长的大体上连续的通道,所述纵长的大体上连续的通道具有一个第一末端和一个相对的第二末端,其中所述传送元件的主体具有一个中心区域,所述第一末端位于所述传送元件的中心区域,而所述第二末端则靠近外边沿设置,每个大体上连续的通道包括若干个流体扩散通道,每个流体扩散通道上设置有用于连通流体扩散通道和第二表面的纵长的槽,流体扩散通道与所述第二表面之间的夹角的取值范围为0~60度,所述纵长的大体上连续的通道包含若干个所述纵长的槽,当从所述纵长的大体上连续的通道的第一末端向所述外边沿方向测量时,该每个所述纵长的槽的深度尺寸递减,所述纵长的大体上连续的通道与反应物源连通,并且所述纵长的大体上连续的通道将反应物传送到基片上。
地址 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区)中央大道188号
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