发明名称 |
一种制备表面混合调制晶硅太阳能电池的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备表面混合调制晶硅太阳能电池的方法,包括:在晶硅基板正面和背面制备绒面结构;将正面和背面均有绒面结构的晶硅基板放置于扩散炉中进行扩散,形成双面PN结;在晶硅基板正面淀积Si薄膜,退火形成硅纳米晶;在晶硅基板正面淀积金属薄膜,退火形成金属纳米晶;在晶硅基板正面和背面生长Si3N4减反膜;采用丝网印刷在晶硅基板的背面印刷的正电极,并进行热处理固化;然后采用丝网印刷在晶硅基板的正面印刷的负电极,并进行热处理固化;合金退火,制备出表面硅纳米晶和金属纳米晶混合调制晶硅太阳能电池。本发明通过表面硅纳米晶和金属纳米晶混合调制方式,充分地转换短波长范围内的光,使其被晶硅电池吸收,达到高效转换的目的。 |
申请公布号 |
CN101840953B |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN200910080054.2 |
申请日期 |
2009.03.18 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;张培文;刘明;刘新宇;叶甜春 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种制备表面硅纳米晶和金属纳米晶混合调制晶硅太阳能电池的方法,其特征在于,该方法包括:步骤101:在晶硅基板正面和背面制备绒面结构;步骤102:将正面和背面均有绒面结构的晶硅基板放置于扩散炉中进行扩散,形成双面PN结;步骤103:在晶硅基板正面淀积Si薄膜,退火形成硅纳米晶;步骤104:在晶硅基板正面淀积金属薄膜,退火形成金属纳米晶;步骤105:在晶硅基板正面和背面生长Si3N4减反膜;步骤106:采用丝网印刷在晶硅基板的背面印刷正电极,并进行热处理固化;然后采用丝网印刷在晶硅基板的正面印刷负电极,并进行热处理固化;步骤107:对晶硅基板背面印刷的正电极及晶硅基板正面印刷的负电极进行合金退火,制备出表面硅纳米晶和金属纳米晶混合调制晶硅太阳能电池。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |