| 发明名称 | 半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括：一基底；一电极，位于基底上方；一压电层，设置于基底和电极之间，当电极产生一电场时，压电层使基底产生应变。本发明提供的半导体元件和方法，能够于不同的操作下调整沟道的应变。 | ||
| 申请公布号 | CN102214703A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
| 申请号 | CN201010260685.5 | 申请日期 | 2010.08.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄敬源;詹前泰;林大文;吴忠政 |
| 分类号 | H01L29/96(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/96(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种半导体元件，包括：一基底；一电极，位于该基底上方；一压电层，设置于该基底和该电极之间，当该电极产生一电场时，该压电层使该基底中产生应变。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||