发明名称 Electrostatic chuck generating equivalent potential and plasma ion implantation apparatus including the same
摘要 <p>등가전기장이 발생되는 정전척은 도전성 재질로 형성되어 기판이 안착되는 몸체, 상기 몸체 상에 세라믹 재질로 형성되는 제1 유전층, 및 상기 제1 유전층의 엣지부에 형성되어 상기 엣지부에서 발생되는 전기장의 세기를 강화시키는 제2 유전층을 포함함으로써, 상기 플라즈마 이온 주입장치의 크기가 소형화 되더라도 기판의 전면에 균등하게 플라즈마 이온을 주입할 수 있음에 따라 보다 고품질의 기판을 제작할 수 있는 효과가 있다.</p>
申请公布号 KR101071246(B1) 申请公布日期 2011.10.10
申请号 KR20080119002 申请日期 2008.11.27
申请人 发明人
分类号 H01L21/22;H01L21/687 主分类号 H01L21/22
代理机构 代理人
主权项
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