一种芯片及其制备方法

摘要

本发明属于存储技术领域，提供一种芯片，包括基本存储单元，所述基本存储单元为一种阻变存储器件，该阻变存储器件包括导电的掺杂氧化物衬底，在所述掺杂氧化物衬底的相对两侧面分别设有由第一金属材料和第二金属材料制成的金属电极，形成第一金属电极/掺杂氧化物衬底/第二金属电极的结构形式，其中所述第一金属电极和第二金属电极与掺杂氧化物衬底形成接触势垒。本发明还提供制备上述芯片的方法。本发明提供的芯片容量大幅度提高，同时降低了器件的写入电流，从而降低芯片功耗。

主权项

一种芯片，包括基本存储单元，其特征在于：所述基本存储单元为一种阻变存储器件，该阻变存储器件包括导电的掺杂氧化物衬底，在所述掺杂氧化物衬底的相对两侧面分别设有由第一金属材料和第二金属材料制成的金属电极，形成第一金属电极/掺杂氧化物衬底/第二金属电极的结构形式，其中所述第一金属电极和第二金属电极均与掺杂氧化物衬底形成接触势垒。