Method of plating a copper in a semiconductor device
摘要
<p>본 발명은 반도체 소자의 구리 도금 방법에 관한 것으로, 하부 패턴에 완전히 증착되는 범위내에서 최소한의 두께로 구리 시드층을 증착하고 NH표면 처리를 실시한 후 구리를 도금함으로써 균일한 구리 도금이 가능하고, 어닐시 구리 도금막내의 마이크로 보이드를 감소시킬 수 있어 소자의 스트레스 마이그레이션(stress migration) 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 구리 도금 방법이 제시된다.</p>
