平板成像检测器中用于静电放电保护的方法及工艺中间物

摘要

以在光电二极管阵列中所沉积迹线(10，12)的一部分的形式提供短接棒(18)来进行静电放电保护。在蚀刻金属层的正常处理期间，移除所述短接棒而不需要额外的处理要求。通过采用具有与阵列迹线相接触的迹线(54)的FET硅层(40，42，44)来提供额外的短接元件，以提供扩展的ESD保护，直至在用于开制通路以用于光电二极管底部触点的正常处理期间移除这些短接元件为止。

主权项

一种用于在光电二极管阵列面板的制作处理期间提供静电放电保护的方法，其包括如下步骤：在一玻璃衬底上的一第一金属层中沉积第一迹线及焊垫形体；进行蚀刻以界定所述迹线及焊垫轮廓；在所述第一金属层上沉积一第一介电层；蚀刻所述第一介电层以提供穿过所述介电层的第一通路；沉积一穿过所述第一通路接触所述第一金属层的第二金属层，从而在进一步操纵及处理期间提供一用于实现所述迹线之间接触的短接棒以进行ESD保护；沉积一第二介电层；形成一在正常处理期间环绕所述短接棒的第二通路以将一第三金属层连接至所述第二金属层；沉积所述第三金属层；对所述第三金属层进行遮罩以进行蚀刻；移除所述短接棒周围的光阻剂；及，蚀刻所述第三金属层及所述短接棒。