发明名称 利用可变宽度凹槽的无热AWG和低功耗AWG
摘要 本发明公开了光集成电路,其具有横穿透镜或波导光栅的间隙(18)和可控制地定位在间隙(18)的每侧的光集成电路上的致动器(12)。结果,减轻了光集成电路(例如,阵列波导光栅)的热敏感性。本发明还公开了采用间隙(18)和致动器(12)制造光集成电路的方法。
申请公布号 CN101019053B 申请公布日期 2011.09.28
申请号 CN200480043452.2 申请日期 2004.05.05
申请人 尼奥弗托尼克斯公司 发明人 R·科尔;M·格雷罗;K·珀切斯;A·J·蒂克纳;K·麦格里尔;D·门彻;P·D·阿斯卡尼奥
分类号 G02B6/34(2006.01)I;G02B6/293(2006.01)I 主分类号 G02B6/34(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种光集成电路,包括:具有第一热膨胀系数的基座,所述基座包括用铰链分开的第一区域和第二区域,所述铰链能够以使所述第一区域相对于所述第二区域旋转的方式对所述第一区域进行旋转调节;所述基座上的阵列波导芯片,所述阵列波导芯片包括透镜、光学耦合到所述透镜的波导光栅以及横穿所述透镜的凹槽,所述凹槽将所述透镜分成在所述基座的第一区域之上的第一透镜部分以及在所述基座的第二区域之上的第二透镜部分;和具有第二热膨胀系数的致动器,所述致动器连接所述基座的所述第一区域和所述第二区域,其中,所述第二热膨胀系数不同于所述第一热膨胀系数;并且所述致动器和基座材料的尺寸或形状被选择成使得由所述致动器的热膨胀或收缩引起的中心波长偏移抵消由所述阵列波导芯片的温度变化引起的中心波长偏移。
地址 美国加利福尼亚州