超结结构的深沟槽填充方法

摘要

本发明提供一种超结结构的深沟槽填充方法，包括步骤：A.提供待形成超结结构的深沟槽，深沟槽位于N型半导体衬底上的N型外延层中；B.在深沟槽中生长P型外延层填充深沟槽，外延工艺的气体包括二氯基硅烷和大比例的氯化氢；C.以氯化氢为刻蚀气体，干法刻蚀深沟槽中的P型外延层，使深沟槽的顶部敞开；D.继续在深沟槽中生长P型外延层填充深沟槽，外延工艺的气体包括二氯基硅烷和大比例的氯化氢。本发明通过在超结结构的深沟槽中交替生长外延层与刻蚀深沟槽顶部的外延层使槽口充分敞开，逐渐实现完全无缝隙的深沟槽外延填充，消除沟槽内狭长的缝隙，避免了漏电现象，使功率MOS器件满足承受高压的电学要求和硅片研磨封装成薄片的机械要求。

主权项

一种超结结构的深沟槽填充方法，包括步骤：A.提供待形成超结结构的深沟槽，所述深沟槽位于N型半导体衬底上的N型外延层中；B.在所述深沟槽中生长P型外延层填充所述深沟槽，所述外延工艺的气体包括二氯基硅烷和大比例的氯化氢；C.以氯化氢为刻蚀气体，干法刻蚀所述深沟槽中的P型外延层，使所述深沟槽的顶部敞开；D.继续在所述深沟槽中生长P型外延层填充所述深沟槽，所述外延工艺的气体包括二氯基硅烷和大比例的氯化氢。