| 发明名称 | 具有增加的感测容限的无电容器动态随机存取存储器单元 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种存储器装置及制造所述存储器装置的方法。所述存储器装置包含在衬底的表面处的存储晶体管。所述存储晶体管包含在第一与第二源极/漏极区之间的主体部分，其中所述源极/漏极区为第一传导性类型的区。所述存储晶体管还包含在至少两个空间平面中至少部分地环绕所述主体部分的栅极结构。位线连接到所述第一源极/漏极区且字线连接到所述栅极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102187459A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN200980140911.1 | 申请日期 | 2009.10.08 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 钱德拉·V·穆利;古尔特杰·S·桑胡 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种存储器装置(200)，其包含：部分耗尽型存储晶体管(102)，其位于衬底的表面处，所述部分耗尽型存储晶体管包含：主体部分(217)，其位于第一源极/漏极区(230)与第二源极/漏极区(235)之间，所述主体部分(217)包括第二传导性类型的重掺杂区(236)，所述重掺杂区邻近于所述第二源极/漏极区(235)并与所述第一源极/漏极区(230)分离且具有位于其中的纳米粒子(236′)或纳米夹杂物(236′)中的一者，所述第一源极/漏极区(230)及第二源极/漏极区(235)包含：第一传导性类型的区及栅极结构(220)，所述栅极结构(220)在至少两个空间平面中至少部分地环绕主体部分；位线(296)，其连接到所述第一源极/漏极区(230)；及字线(298)，其连接到所述栅极结构(220)。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||